| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 907
|
1.35
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 485
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
352 952
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
478 888
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
40 578
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
97 048
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
125 129
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
1
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
1
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
251 760
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
1 292
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
15 167
|
1.53
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
287
|
1.79
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
206 357
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
223 484
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
1.97
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
19 199
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
152 628
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
JINGDAO
|
175 961
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XXW
|
317 970
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
CTK
|
136
|
1.14
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
14 790
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
350
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
RUME
|
108 000
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
28
|
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
|
|
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
|
|
|
|
|
|
CD74HC237E |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
|
|
61.44
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9530 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
29
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
24
|
50.80
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
|
|
42.00
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
792
|
|
|