| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 225mW |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | PNP |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
800
|
7.81
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
4 463
|
3.06
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
1 511
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 245
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
9 632
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
3 040
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
|
38 666
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MICRO COMMERCIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
44 022
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
34
|
1.34
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YOUTAI
|
16 856
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
13 863
|
1.54
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
187 639
|
2.03
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MIC
|
38 400
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NSP
|
5 273
|
2.12
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
20 216
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
6592
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ELZET
|
7 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
RUME
|
4 800
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
23 832
|
6.63
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
|
14 525
|
1.84
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MIC
|
1 136
|
1.57
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KOME
|
783
|
2.78
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
3 743
|
2.52
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
6 866
|
1.33
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
PANJIT
|
6 692
|
3.21
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
PANJIT
|
3 636
|
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
SEMTECH
|
1 047
|
3.21
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
WUXI XUYANG
|
5 760
|
2.76
|
|
|
|
|
DL4748A |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
L7805CD2T |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7805CD2T |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +150C)
|
|
|
54.56
|
|
|
|
L7805CD2T |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7805CD2T |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +150C)
|
YOUTAI
|
4 126
|
20.86
|
|
|
|
L7805CD2T |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Udrop=2.0V@1.0A, 0 to +150C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
504
|
|
|
|
|
|
КР1180ЕН5А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КР1180ЕН5А |
|
|
МИНСК
|
89
|
120.84
|
|
|
|
|
КР1180ЕН5А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1180ЕН5А |
|
|
167
|
|
|
|