|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | 5 | 185.00 | ||
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КТ3102Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | ЭЛЕКС | 256 | 433.94 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP9435M | ADVANCED POWER ELECT. CORP |
|
|
|||||
| AP9435M | ADVANCED POWER ELECT. CORP | 1 654 |
|
|||||
| AP9435M |
|
|
||||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | 112 | 24.05 | ||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS | 200 |
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS |
|
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 211 |
|
|||
| NH82801GB(SL8FX) | INTEL |
|
|
|||||
| NH82801GB(SL8FX) | INTEL |
|
|
|||||
| NH82801GB(SL8FX) |
|
|
||||||
| NH82801GB(SL8FX) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 660 |
|
|||||
| RG82865G(SL743) | INTEL |
|
|
|||||
| RG82865G(SL743) | INTEL |
|
|
|||||
| RG82865G(SL743) |
|
|
||||||
| RG82865G(SL743) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 85 |
|
|||||
|
|
|
КТ361Б КРАСН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТОМСК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б КРАСН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | НАЛЬЧИК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б КРАСН. |
|
Транзистор структуры PNP усилительный |
|
|