| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
| Корпус | SOD-323 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
9.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
245 510
|
2.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
46 662
|
2.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
666 196
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
95 404
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
3 150
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 602 214
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
595 876
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
136 996
|
1.72
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
276 000
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
515
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
177 388
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
151 703
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
594 400
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEX-NXP
|
2
|
5.03
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
RONGWEI
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
LONG JI UANG
|
|
|
|
|
|
|
DJK-05D |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
PBD1.27-10S |
|
|
|
2 088
|
12.94
|
|
|
|
PBD1.27-10S |
|
|
BM
|
|
|
|
|
|
PBD1.27-10S |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
PBD1.27-10S |
|
|
HSM
|
|
|
|
|
|
PBD1.27-10S |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
7 296
|
10.55
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
|
38 560
|
2.82
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
472
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LF
|
4 670
|
14.84
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
EIC
|
4
|
7.45
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
JJM
|
19 773
|
4.20
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KLS
|
4 423
|
7.02
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
33 193
|
3.09
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
32
|
3.10
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YJ
|
69 190
|
2.62
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
4 800
|
2.97
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
VISHAY
|
30 400
|
7.56
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ELECSUPER
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
10 328
|
1.91
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
5848
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
6
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TE
|
|
|
|