AT93C46-10SI-2.7

Последовательная память EEPROM (128x8/64x16 bit, 1M циклов, 3-wire serial interface, 2 MHz clock rate @5V, Vcc=2.7-5.5V, -40 to +85C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
AT93C46-10SI-2.7 (ATMEL)	40	35.91
AT93C46-10SI-2.7 (ATMEL CORPORATION.)	766	3-4 недели Цена по запросу
AT93C46-10SI-2.7 (4-7 НЕДЕЛЬ)	796	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики AT93C46-10SI-2.7

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	3-Wire Serial
Скорость	1MHz, 2MHz
Объем памяти	1K (128 x 8 or 64 x 16)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AT93C46

3-wire Serial EEPROMs 1K (128 x 8 or 64 x 16) 2K (256 x 8 or 128 x 16) 4K (512 x 8 or 256 x 16)

Также в этом файле: AT93C46-10SI-2.7

Производитель:
ATMEL Corporation
//www.atmel.com

AT93C46-10SI-2.7 datasheet
190.26Kb
19стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ATMEL
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память		328	42.55
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ATMEL CORPORATION	16
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	MICRO CHIP
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	4-7 НЕДЕЛЬ	197
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FTDI	14	1 008.00
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE TECH DEVICES INTER
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс			373.32
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE POWER TECHNOLOGY
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	4-7 НЕДЕЛЬ	24
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS	3 029	36.66
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	TOSHIBA	5 635	25.20
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS		4	55.50
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ALLEGRO
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	STMicroelectronics
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTR
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS SEMI	218
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRO
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	YOUTAI	62 660	6.64
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	4-7 НЕДЕЛЬ	140
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		4 118	27.75
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	14 752	14.46
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTR
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS	7 072	16.63
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMEN
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXASINSTRUMENTS
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	128
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRONICS	18 052	12.41
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...		8 944	10.60
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	STMicroelectronics
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	МАЛАЙЗИЯ
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRO
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	STMICROELECTR
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	YOUTAI	39 755	2.44
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	TECH PUB	54 444	2.92
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UMW
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UMW-YOUTAI
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	1
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ELECSUPE	26 233	2.35
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UWM
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	4-7 НЕДЕЛЬ	756

AT93C46-10SI-2.7

Последовательная память EEPROM (128x8/64x16 bit, 1M циклов, 3-wire serial interface, 2 MHz clock rate @5V, Vcc=2.7-5.5V, -40 to +85C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают: