AT93C46-10SI-2.7

Последовательная память EEPROM (128x8/64x16 bit, 1M циклов, 3-wire serial interface, 2 MHz clock rate @5V, Vcc=2.7-5.5V, -40 to +85C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
AT93C46-10SI-2.7 (ATMEL)	40	39.82
AT93C46-10SI-2.7 (ATMEL CORPORATION.)	766	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики AT93C46-10SI-2.7

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2.7 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	3-Wire Serial
Скорость	1MHz, 2MHz
Объем памяти	1K (128 x 8 or 64 x 16)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AT93C46

3-wire Serial EEPROMs 1K (128 x 8 or 64 x 16) 2K (256 x 8 or 128 x 16) 4K (512 x 8 or 256 x 16)

Также в этом файле: AT93C46-10SI-2.7

Производитель:
ATMEL Corporation
//www.atmel.com

AT93C46-10SI-2.7 datasheet
190.26Kb
19стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ATMEL
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память		328	42.78
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ATMEL CORPORATION	16
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	MICRO CHIP
AT93C56A-10SU-2.7	Энергонезависимая память	4-7 НЕДЕЛЬ
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FTDI
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE TECH DEVICES INTER
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс		19	892.80
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	FUTURE POWER TECHNOLOGY
FT232BM	Преобразователь USB — последовательный интерфейс	4-7 НЕДЕЛЬ
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS	266	41.38
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	TOSHIBA
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS		5 093	22.32
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ALLEGRO
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	STMicroelectronics
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTR
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS SEMI	218
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	ST MICROELECTRO
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	YOUTAI	15 713	12.61
ULN2003A	ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS	4-7 НЕДЕЛЬ
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		19 838	11.34
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	12 000	15.50
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTR
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMEN
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXASINSTRUMENTS
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	1013
ULN2003ADR	7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	264
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRONICS	1 132	16.53
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...		1 345	9.98
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	STMicroelectronics
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	МАЛАЙЗИЯ
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ST MICROELECTRO
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	STMICROELECTR
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	YOUTAI	214 446	5.77
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	TECH PUB	19 018	5.36
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UMW
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UMW-YOUTAI
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	1
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	ELECSUPE	117 312	3.94
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	UWM
USBLC6-2SC6	монолитная сборка диодов для защиты от разрядов статического электричества двух линий ...	4-7 НЕДЕЛЬ

AT93C46-10SI-2.7

Последовательная память EEPROM (128x8/64x16 bit, 1M циклов, 3-wire serial interface, 2 MHz clock rate @5V, Vcc=2.7-5.5V, -40 to +85C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают: