|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LT1964ES5-SD |
|
|
|
|
552.00
|
|
|
|
LT1964ES5-SD |
|
|
LTC
|
|
|
|
|
|
LT1964ES5-SD |
|
|
AD-LTC
|
|
|
|
|
|
LT1964ES5-SD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
603
|
|
|
|
|
STM8S105C6T6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
412
|
148.10
|
|
|
|
STM8S105C6T6 |
|
|
|
1 296
|
113.39
|
|
|
|
STM8S105C6T6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM8S105C6T6 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STM8S105C6T6 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
369
|
|
|
|
|
STM8S105S6T3C |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM8S105S6T3C |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM8S105S6T3C |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STM8S105S6T3C |
|
|
|
|
355.60
|
|
|
|
STM8S105S6T3C |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
372
|
|
|
|
|
WSL2010R0200FEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
WSL2010R0200FEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
WSL2010R0200FEA |
|
|
|
|
|
|
|
|
WSL2010R0200FEA |
|
|
DALE
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
1
|
13.62
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
2 737
|
31.73
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|