2N5551RL1G


Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)

2N5551RL1G (заказ)
2N5551RL1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
2N5551RL1G (ON SEMICONDUCTOR.) 1 000 3-4 недели
Цена по запросу


Технические характеристики 2N5551RL1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition300MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru