| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD825ARZ |
|
Операционный усилитель полев. вход, 46 МГц, 140 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 10 мкВ/°С, 12 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
ADVANCED POWER ELECT. CORP
|
|
|
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
ADVANCED POWER ELECT. CORP
|
|
|
|
|
|
|
AP9916H |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
FW82801EB(SL73Z) |
|
|
INTEL
|
|
|
|
|
|
|
FW82801EB(SL73Z) |
|
|
|
|
7 192.00
|
|
|
|
|
FW82801EB(SL73Z) |
|
|
INTEL
|
|
|
|
|
|
|
FW82801EB(SL73Z) |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
115
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
|
112
|
24.05
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
200
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
211
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
524
|
13.62
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 284
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
1
|
4.22
|
|
Версия для печати
