Версия для печати
Технические характеристики 2N4923

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 100mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 500mA, 1V
Power - Max	30W
Frequency - Transition	3MHz
Корпус	TO225AA

2N4923 Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 2N4923 datasheet 110.32Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ST MICROELECTRONICS
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	STMicroelectronics
		2N5192		Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		3 364	13.13
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	92	16.96
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	72	3.98
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	36 435	6.09
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz			29.56
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ON SEMICONDUCTOR	9
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	STMicroelectronics
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	CDIL
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	ST MICROELECTRO
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	HOTTECH	1 133	6.44
		BD237		Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz	JSCJ	2 068	5.94

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W			103.20
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
		2SD718		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W	TOSHIBA
		2SD718		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W	KEC
		2SD718		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W			22.80
		2SD718		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W	ISCSEMI
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	144.45
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W			93.68
		IRF1010N		Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INFINEON
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц		3 627	27.75
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	КРЕМНИЙ	80	26.55
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	БРЯНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	УЛЬЯНОВСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	МИНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 531	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 105	46.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 800	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"