Версия для печати
Технические характеристики 24LC512T-I/SM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	512K (64K x 8)
Скорость	400kHz
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Напряжение питания	2.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Корпус	8-SOIJ

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	36 770	1.57
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		29 852	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	842 947	1.17  >500 шт.   0.39
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	56 800	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.09
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	969 511	1.62  >100 шт.   0.81
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	1 010	1.04  >100 шт.   0.52
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	453 625	1.04
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.94  >100 шт.   0.97
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	2 840	1.20  >500 шт.   0.40
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC	46 640	1.14  >100 шт.   0.57
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999		203 831.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396		203 428.47
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771		203 428.47
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112		203 831.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50		202 823.64
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET		60 761	3.25
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	1	2.43
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HUASHUO	21 267	2.98
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	272 420	3.10
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	1
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON	38	11.41
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	UMW	17 600	3.10
		IRLML6402		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEEN SIDE	16	1.90
		MCP6001UT-I/OT		ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц	MICRO CHIP
		MCP6001UT-I/OT		ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц			84.00
		MCP6001UT-I/OT		ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц	Microchip Technology
		MCP6001UT-I/OT		ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц	ТАИЛАНД
		MCP6001UT-I/OT		ИМС ОУх1, Микромощный: Iпотр=170мкА, Iвх=1пА, f=1.0МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	373
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	MICRO CHIP
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us			69.32
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	Microchip Technology
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	MICRO CHIP
		MCP601-I/SN		Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	356
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	MICRO CHIP	6	1 575.00
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz			855.76
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	Microchip Technology
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	355
		PIC18F2550-I/SO		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	8	749	202 924.44

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"