1PS76SB10

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
1PS76SB10 (NXP.)	1 160	3-4 недели Цена по запросу
1PS76SB10 (PHILIPS.)	8 571	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 1PS76SB10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800mV @ 100mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Current - Average Rectified (Io)	200mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 25V
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1PS76SB10 (Диоды Шоттки)

Ограничительный диод Шоттки

Производитель:
NXP

1PS76SB10 datasheet
54.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 150 ОМ 1%		YAGEO
0805 150 ОМ 1%		VISHAY
0805 150 ОМ 1%			2 560	1.08 >500 шт. 0.36
ACPL-074L	15 мбод высокоскоростной цифровой cmos оптрон на 3.3/5 вольт	AVAGO
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ	MUR
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ		8
IM21GR				600.00
IM21GR		TE Connectivity
IM21GR		TYCO
IM21GR		TE
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ