| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
32.79
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
|
|
51.24
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
LITTELFUSE
|
666
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
JJM
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
KOME
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SUNTAN
|
560
|
13.66
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SUNMATE
|
1 529
|
13.81
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 500
|
3.37
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 317
|
4.16
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
672
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 012
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
|
6.68
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
55 701
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
1 376
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.03
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
5725
|
1
|
1.91
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
|
|
378.92
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8041AR |
|
Операционный усилитель бипл., с отключением, вых. размах до шин питания, 160 МГц, 170 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
561
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
HIT
|
|
|
|
|
|
|
HA17358 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
349
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|