| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1812 X7R 4.7UF 10% 25V |
|
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
CHINA
|
1
|
22.26
|
|
|
|
|
3266W-1-203 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 20 кОм 1/4``
|
BOCHEN
|
6 926
|
22.87
|
|
 |
 |
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
К73-16-63-0.12 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.12 мкФ 63 В
|
|
|
20.84
|
|
|
|
|
К73-16-63-0.12 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.12 мкФ 63 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-16-63-0.12 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.12 мкФ 63 В
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-16-63-0.12 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.12 мкФ 63 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
|
924
|
73.60
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 345
|
80.73
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 150
|
84.00
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
