| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3306P-1-501 |
|
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3306P-1-501 |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3306P-1-501 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
|
|
50.00
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
62
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
AT24C64CN-SH-T |
|
Последовательная память EEPROM (8192x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
380
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
VISHAY
|
344
|
278.96
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 1 КОМ 15W 5% / SQP15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RX27-1 5.1 КОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
|
|
|
|