|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
GRM2165C1H272JA01D |
|
Керамический конденсатор 2700 пФ 50 В
|
MUR
|
59 429
|
1.34
|
|
|
|
GRM2165C1H272JA01D |
|
Керамический конденсатор 2700 пФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM2165C1H272JA01D |
|
Керамический конденсатор 2700 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM2165C1H272JA01D |
|
Керамический конденсатор 2700 пФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
TOSHIBA
|
2 640
|
42.36
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
|
10
|
55.50
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ISOCOM
|
52
|
18.15
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
ISO
|
|
|
|
|
|
TLP521-1GB |
|
Оптопара транзисторная
|
1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
9 582
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
|
15 628
|
9.25
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
948
|
13.23
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
394
|
29.44
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
26.46
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
962
|
37.80
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.40
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|