STW12NK90Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW12NK90Z (ST MICROELECTRONICS)	1 160	221.58
STW12NK90Z		440.00

Версия для печати

Технические характеристики STW12NK90Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	880 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW12NK90Z (MOSFET)

N-channel 900V - 0.72? - 11A - TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW12NK90Z datasheet
271.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
PR-1500				1 480.00
PR-1500		4-7 НЕДЕЛЬ	419
SQP 10W 4.7 5%
SQP 10W 4.7 5%		YAGEO
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS INSTRUMENTS
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT		3	203.50
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS INSTRUMEN
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	TEXAS
UCC37322P	Драйвер FET-IGBT	4-7 НЕДЕЛЬ	357
КТ809А	Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...		12 670	286.75
КТ809А	Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	УЛЬЯНОВСК
КТ809А	Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ФРЯЗИНО
КТ809А	Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	ИСКРА
КТ809А	Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные, для применения ...	КРЕМНИЙ
КТ865А		КРЕМНИЙ	40	808.92
КТ865А			590	209.05
КТ865А		БРЯНСК	380	966.00