STP4NB100

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP4NB100		279.12

Версия для печати

Технические характеристики STP4NB100

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP4NB100 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N - CHANNEL 1000V - 4 Ohm - 3.8A - TO-220 / TO-220FP PowerMESHTM MOSFET

Также в этом файле: STP4NB100FP, STP4NB100F

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP4NB100 datasheet
111.92Kb
9стр.