STB20NK50ZT4

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB20NK50ZT4		215.20

Версия для печати

Технические характеристики STB20NK50ZT4

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	D2PAK
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	190W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	119nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 8.5A, 10V
FET Feature	Standard

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB20NK50Z (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 500V - 0.23 Ohm - 17A TO-220 / D2PAK / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET

Также в этом файле: STB20NK50ZT4

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STB20NK50ZT4 datasheet
387.87Kb
13стр.