| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8 000
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
|
40
|
1.28
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
5
|
1.10
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BZX55C13 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA
|
RUME
|
11 600
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
|
1
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
FAIRCHILD
|
8
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
GF1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
MURATA
|
1 680
|
29.96
|
|
|
|
|
GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
MUR
|
55 512
|
31.64
|
|
|
|
|
GRM55DR72J224KW01L |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 630 В
|
|
8
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 272
|
45.29
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
|
19
|
49.14
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFL014 |
|
Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP06N80C3 |
|
Транзистор N-Канальный 800V 6A 83W 0,9R TO220
|
Infineon Technologies
|
|
|
|