SPD08P06P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPD08P06P		98.88

Версия для печати

Технические характеристики SPD08P06P

Корпус	PG-TO252-3
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	42W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	420pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.83A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 6.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPD08P06P (Полевые МОП транзисторы)

SIPMOS Power-Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPD08P06P datasheet
116.71Kb
9стр.