|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 813
|
2.14
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 219
|
3.06
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
517 391
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.60
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
4 572
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
141 947
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
172 515
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRIGHTLED
|
|
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
|
|
19.24
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRI
|
2 400
|
8.23
|
|
|
|
BL-BEG271 |
|
3mm. светодиод двухцветный красно-зеленый, двухвыводной (Iv=30mcd @ I=20mA, 45 град., ...
|
BRIGHT-ON
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
7 256
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VISHAY
|
3 076
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051K00FKEA |
|
Резистор чип 0805, 1кОм, 100ppm/С
|
VIS
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX4194ESA+ |
|
Усилитель, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEMET
|
3 516
|
31.65
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
|
|
15.44
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491C106K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10мкФ, 16В, 125С, 10%
|
KEM
|
|
|
|