SM4006
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | Powerlite-123 |
| Корпус (размер) | DO-221 Variation |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Standard |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SM4006A 1.0 AMP SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIERS
Производитель:
|
Синонимы от поставщиков: SM4006 ; SM-4006 ; SM 4006 ; SM — 4006 ; SM4006 ; диод SM4006 ;
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MIC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FSC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MOTOROLA |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | FAIRCHILD | 2 113 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL INSTRUMENT |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | GENERAL SEMICONDUCTOR | 2 230 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MOTOROLA | 1 040 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DIODES INC. | 2 063 |
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | Micro Commercial Co |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MICROSEMI CORP |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DIOTEC |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | 252 | 5.04 | ||
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | DC COMPONENTS | 43 263 |
1.58 >100 шт. 0.79 |
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MD |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ONS |
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | ONS-FAIR | 1 | 1.24 | |
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В | MASTER INSTRUMENT | 532 | 5.47 | |
 |
1N5398 (1.5A 800V) |
|
|
|||||
| 2N3773G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N3773G | ONS |
|
|
|||||
| 2N3773G |
|
|
||||||
| 2N3773G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ONS |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 207 |
|
|||||
| BAV199LT1G |
|
|
||||||
| BAV199LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BAV199LT1G | LRC |
|
|
|||||
 |
|
EM518 | SHANGHAI LUNSURE |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | 12 | 25.20 | ||||
|
|
|
EM518 | GALAXY |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | КИТАЙ |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | DIOTEC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | MIC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | MICRO CHIP |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | GALAXY ME |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | KINGTRONIC |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | KINGTRONICS |
|
|
|||
|
|
|
EM518 | HOTTECH | 12 000 | 2.51 | |||
|
|
|
EM518 | 1 |
|
|
