Версия для печати
Технические характеристики SA-400-10

Номинальное напряжение	400 В
Емкость	10
Серия	SA
Корпус (размер)	Radial
Тип	Электролитический алюминиевый
Тип монтажа	Выводной

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

Синонимы от поставщиков: SA-400-10 ; SA-400 ; SA 400 ; SA — 400 ; SA400 ; конденсатор SA-400 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	TOSHIBA
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	FAIR
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz			13.32
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	TOS
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	ON SEMI/FAIRCH
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	ONSEMICONDUCTOR
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	JCET
		2SA1013		Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz	ONS
		CA025M4R70REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В	YAGEO	31 616	1.01
		CA025M4R70REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В			3.60
		CA025M4R70REB-0405		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 694	9.70
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		1 165	3.24
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	66 640	2.56
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 389	9.30
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	297	4.55
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	52 469	2.29
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 532	4.83
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	3.10
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	93	6.05
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	28 663	2.28
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	10 400	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.57
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	1 176	2.78
		SH200M1R00BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В	YAGEO
		SH200M1R00BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH200M1R00BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	PWR
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии			168.00
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	PI	12	212.00
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	Power Integrations
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	POWER INTEGRATIONS
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	POWER INTEGRATI
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	4-7 НЕДЕЛЬ	334
		TNY266GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	15

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"