| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
BZV55-C11 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
DC COMPONENTS
|
1 849
|
3.63
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
PHILIPS
|
32 022
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C11 |
|
|
KEEN SIDE
|
5 216
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
 |
|
EC24-101K / LGA0307-101K |
|
Дроссель с аксиальными выводами (L=100uH +/-10%, I=0.165A, R=3.5 Ohm, Q=50@f=2.52MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
8
|
6.38
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
10 692
|
2.96
|
|
|
|
|
RC1206FR-071RL |
|
|
YAGEO
|
290 677
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
RC1206FR-071RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RLB0712-101KL |
|
Индуктивность радиальная для монтажа в отв. платы 100 мкГн, 10%, 320мА
|
|
|
32.80
|
|
|
|
|
RLB0712-101KL |
|
Индуктивность радиальная для монтажа в отв. платы 100 мкГн, 10%, 320мА
|
BOURNS
|
|
|
|
Версия для печати
