MUR1100ERLG

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MUR1100ERLG	2	57.96

Версия для печати

Технические характеристики MUR1100ERLG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SWITCHMODE™
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.75V @ 1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	100ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	Axial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1ПЭВР-25-51 ОМ 5%
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY	66	56.58
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		140	26.56
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	27.30
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	15
L-7113SF6C		KINGBRIGHT
L-7113SF6C
L-7113SF6C		KB
L-7113SF6C		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
L-7113SF6C		КИТАЙ
L-7113SF6C		KGB	12 448	38.18
К73-17 1М 630В 10%
КД226Г			220	13.80
КД226Г		НПП ТЭЗ
КД226Г		ТОМИЛИНО
КД226Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Г		RUS
КД226Г		СЗТП	80	21.08
КД226Г		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО