MUR1100E

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MUR1100E (MOTOROLA.)	20	3-4 недели Цена по запросу
MUR1100E (ON SEMICONDUCTOR.)	16	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MUR1100E

Корпус	Axial
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Тип монтажа	Выводной
Reverse Recovery Time (trr)	100ns
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 1000V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.75V @ 1A
Серия	SWITCHMODE™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MUR1100E (Диоды и выпрямители)

SWITCHMODE Power Rectifiers

Также в этом файле: MUR1100ERL

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MUR1100E datasheet
86.35Kb
8стр.

Синонимы от поставщиков: MUR1100E ; MUR-1100E ; MUR 1100E ; MUR — 1100E ; MUR1100E ; диод MUR1100E ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности		3	12.88
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	STMicroelectronics
2N2907	Транзистор биполярный малой мощности	MOTOROLA
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93			219.64
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	TOSHIBA
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	TOS
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	ФИЛИППИНЫ
FH-102		BM
FH-102		DRAGON CITY
FH-102
FH-102		DRAGONCITY
FH-102		KLS
FH-102		КИТАЙ	80	31.23
STTH102A		ST MICROELECTRONICS	120	18.35
STTH102A				244.80
STTH102A		STMicroelectronics
STTH102A		STMICROELECTR