| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Т837В |
|
|
|
11
|
51.80
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
2
|
127.20
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
ЭЛЕКТР
|
|
|
|
|
|
2Т837В |
|
|
3
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
|
|
120.00
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FAN7601N |
|
SMPS упpавление MOSFET, Fmax=300kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
661
|
|
|
|
|
Е7-22 |
|
Портативный измеритель RLC
|
|
|
16 368.00
|
|
|
|
Е7-22 |
|
Портативный измеритель RLC
|
АКИП
|
|
|
|
|
|
Е7-22 |
|
Портативный измеритель RLC
|
CHY
|
|
|
|
|
|
Е7-22 |
|
Портативный измеритель RLC
|
CHY FIREMATE
|
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
48 784
|
7.40
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
524
|
13.62
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 284
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
1
|
4.22
|
|