K6X1008C2D-BF55
SRAM 128K x 8, 5.0V
|
|
Версия для печати
| Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS |
| Количество в упаковке | 1000 шт. |
| Вес | 1.820 г |
| Объём памяти | 1024 kbit |
| Cell Resistance @ Illuminance | 128x8 |
| Center / Cutoff Frequency | 55 нс |
| Напряжение питания | 4.5…5.5 В |
| Корпус (размер) | SOP32-525 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Температура хранения | -65...150 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
K6X1008C2D (Маломощная SRAM (1 Мб)) 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Также в этом файле: K6X1008C2D-BF55, K6X1008C2D-BF551
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 220МКФ 50В (10X13) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 50В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 220МКФ 50В (10X13) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 50В |
|
19.20 | ||||
| 2SA1015-Y / 2PA1015GR |
|
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SA1015-Y / 2PA1015GR |
|
Биполярный транзистор |
|
5.16 | ||||
| 2SA1015-Y / 2PA1015GR |
|
Биполярный транзистор | TOS |
|
|
|||
| 2SA1015-Y / 2PA1015GR |
|
Биполярный транзистор | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
| 330МКФ 50В (10Х16) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 50В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 330МКФ 50В (10Х16) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 50В |
|
19.20 | ||||
| 470МКФ 50В (10X21) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 470МКФ 50В (10X21) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50В |
|
38.40 | ||||
| AT24C64A-10PI-2.7 | ATMEL |
|
|
|||||
| AT24C64A-10PI-2.7 | ATMEL CORPORATION |
|
|
