IRLR3715

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR3715		114.20

Версия для печати

Технические характеристики IRLR3715

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	54A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1060pF @ 10V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR3715Z (Дискретные сигналы)

20V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA I-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLR3715 datasheet
204.01Kb
11стр.