IRLMS6702TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLMS6702TR (INTERNATIONAL RECTIFIER)	3 131	10.76
IRLMS6702TR	24	57.96

Версия для печати

Технические характеристики IRLMS6702TR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 15V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CRCW0805120RFKEA		VISHAY
CRCW0805120RFKEA		VISHAY
CRCW0805120RFKEA		Vishay/Dale
CRCW0805120RFKEA
FT2232D-T/R		FTDI
FT2232D-T/R
FT2232D-T/R		4-7 НЕДЕЛЬ	192
RC0805JR-07200RL		YAGEO	426 240	0.55 >1000 шт. 0.11
RC0805JR-07200RL		YAGEO
RC0805JR-07200RL
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	TEXAS INSTRUMENTS
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	TEXAS
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	4-7 НЕДЕЛЬ	380
TPS7333QD		TEXAS INSTRUMENTS
TPS7333QD			1 244	240.50
TPS7333QD		СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
TPS7333QD		КОРЕЯ, НАРОДНО-
TPS7333QD		КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
TPS7333QD		TEXAS
TPS7333QD		TEXAS INSTRUMEN
TPS7333QD		4-7 НЕДЕЛЬ	288