IRLMS6702TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLMS6702TR (INTERNATIONAL RECTIFIER)	2 554	34.25
IRLMS6702TR	24	57.96

Версия для печати

Технические характеристики IRLMS6702TR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 15V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MAX491ECSD		MAXIM
MAX491ECSD
MAX491ECSD		MAX
MAX491ECSD		MAXIM
MAX491ECSD		4-7 НЕДЕЛЬ	106
MCP121T-300E/TT		MICRO CHIP
MCP121T-300E/TT				63.20
MCP121T-300E/TT		MICRO CHIP
MCP121T-300E/TT		Microchip Technology
MCP121T-300E/TT		4-7 НЕДЕЛЬ	615
RC0805JR-071KL			2 192	2.10
RC0805JR-071KL		YAGEO	2 853 167	0.55 >1000 шт. 0.11
RC0805JR-071KL		YAGEO
RC0805JR-071KL		PHYCOMP
RC0805JR-07200RL		YAGEO	377 959	0.87 >500 шт. 0.29
RC0805JR-07200RL		YAGEO
RC0805JR-07200RL
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	TEXAS INSTRUMENTS
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	TEXAS
TPS54060DGQ	Стаб напр. ШИМ (Vin=3,5.60V, Vout=0.8.58V, Io=500mA, F=0.1///2.5MHz, t=-40.+150C)	4-7 НЕДЕЛЬ	380