IRLML2502TR


N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)

Купить IRLML2502TR по цене 39.06 руб.  (без НДС 20%)
IRLML2502TR Тип: Полевые транзисторы общего...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML2502TR 7 39.06 
IRLML2502TR (JSMICRO) 5 069 3.27 

Тип: Полевые транзисторы общего применения; 
Тип канала: N
Uси,max, В: 20;
Iс,max, А: 4,2; 
Rси, Ом: 0,045; 
Версия для печати

Технические характеристики IRLML2502TR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds740pF @ 15V
Power - Max1.25W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   BARONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``     Заказ радиодеталей 32.00 
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3296W-1-103 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``   BOCHEN 20 956 8.82 
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   PHILIPS 1 916 14.70 
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2     Заказ радиодеталей 17.72 
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   NEX-NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   NXP/NEXPERIA 69 13.19 
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
74HC4052D Микросхема стандартной логики ТТЛ(74). Мультиплексор аналоговый 4->1 х 2   4-7 НЕДЕЛЬ 479 цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     Заказ радиодеталей 20.24 
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   VBSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   TECH PUB Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   TRR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401TR Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 95 868 1.56 
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц     Заказ радиодеталей 44.88 
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   TEXAS 217 55.03 
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5534P Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц   4-7 НЕДЕЛЬ 250 цена радиодетали
STM32F103RBT6TR Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STM32F103RBT6TR Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STM32F103RBT6TR Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STM32F103RBT6TR Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...     775 246.22 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход