![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 4.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 840pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRLL3303 (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1206-0 | 1 307 | 1.36 | |||||
1206-100M 5% |
![]() |
ЧИП — резистор |
![]() |
12.40 | ||||
2010-0J | FAITHFUL LINK |
![]() |
![]() |
|||||
4001BNSR (CD4001BNSR) | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
|||||
TRR-1C12S00-D-RPBF | TTI |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|