|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 38A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 68W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRL3303S (N-канальные транзисторные модули) 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL3303L
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | FAI/QTC |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | FAIR |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | FSC |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | 2 | 158.76 | ||||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | FSC1 |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | ТАИЛАНД |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 |
|
|
||||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | 1 |
|
|
|||
| DP904C |
|
SMPS SAMSUNG 795 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 417 |
|