|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 14A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 24A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRL2703S Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BTS723GW |
|
Переключатель питания N канальный | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
BTS723GW |
|
Переключатель питания N канальный | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BTS723GW |
|
Переключатель питания N канальный |
|
504.00 | ||
|
|
|
BTS723GW |
|
Переключатель питания N канальный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 461 |
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А |
|
128.76 | ||
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N65A |
|
Транзистор полевой N-канальный 650В 9.5А | IR/VISHAY |
|
|