IRG4PH50K
Транзистор IGBT модуль единичный
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRG4PH50K |
 |
466.60
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRG4PH50K
| Power - Max | 200W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 24A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRG4PH50KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
International Rectifier
|
