IRFR9014

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9014		52.64

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9014

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFx901x

P-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRFR9014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFR9014 datasheet
305.31Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К548УН1А	Двухканальный малошумящий усилитель для усиления сигналов частотой до 1 МГц в ...		124	45.36
К548УН1А	Двухканальный малошумящий усилитель для усиления сигналов частотой до 1 МГц в ...	ТАЛЛИН
К548УН1А	Двухканальный малошумящий усилитель для усиления сигналов частотой до 1 МГц в ...	ТОНДИ
К548УН1А	Двухканальный малошумящий усилитель для усиления сигналов частотой до 1 МГц в ...	RUS
К548УН1А	Двухканальный малошумящий усилитель для усиления сигналов частотой до 1 МГц в ...	ТЭЗ	400	77.49
КД 510 А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
КП505Г			412	9.20
КП505Г		МИНСК	602	25.20
КП505Г		ИНТЕГРАЛ	400	18.90
КТ 3109 А		RUS
КТ 805 АМ		RUS