|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 57W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR5505 (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A) Также в этом файле: IRFR5505
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМДТ27КПН19Ш5А1В | 7 | 1 180.00 | ||||||
| 2РМДТ27КПН19Ш5А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В |
|
606.04 | ||||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ЭЛЕКОН | 12 | 5 027.40 | |||||
| 2РМТ14Б4Ш1А1В | ЛТАВА |
|
|
|||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | 12 | 2 760.00 | ||||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | ЭЛЕКОН | 202 | 6 168.96 | |||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | РОССИЯ |
|
|
|||||
|
|
|
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | 1 | 4 600.00 | ||
|
|
|
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | 1 | 4 600.00 | ||
|
|
|
2РМТ22КПН4Ш3А1В |
|
Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | ЭЛЕКОН | 40 | 6 063.12 | |
|
|
IN74AC14D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
IN74AC14D | 104 | 242.00 | |||||
|
|
IN74AC14D | ???????? |
|
|
||||
|
|
IN74AC14D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 307 |
|