Версия для печати
Технические характеристики IRFR1205

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	44A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	107W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR1205 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR1205 datasheet 146.29Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		EM78P156ELP		8-разрядный микропроцессор CMOS			400.00
		EM78P156ELP		8-разрядный микропроцессор CMOS	EMC	660	106.00
		EM78P156ELP		8-разрядный микропроцессор CMOS	4-7 НЕДЕЛЬ	302
		EM78P156ELP		8-разрядный микропроцессор CMOS	828
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 640	22.86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	7 652	16.09
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 824	33.64
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	4 983	23.07
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIR
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD	2 003
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	Fairchild Semiconductor
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	International Rectifier
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	168
		SI3443DV		Hexfet power mosfets discrete p-channel	ONS
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...		82	462.50
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	МИНСК
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ФРЯЗИНО
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ЭПЛ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ЗБАРАЖ
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	RUS
		КТ872А		Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"