![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1.1A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRFL9014 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-X7R-0.010UF 10% 50V |
![]() |
Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В | MURATA |
![]() |
![]() |
|||
0805-X7R-0.010UF 10% 50V |
![]() |
Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В |
![]() |
4.80 | ||||
![]() |
![]() |
74HC14PW,112 |
![]() |
NXP Semiconductors |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
74HC14PW,112 |
![]() |
NXP |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
74HC14PW,112 |
![]() |
NEX |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
74HC14PW,112 |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
HIP9011ABZ |
![]() |
Процессор сигнальный для ДВС | INTERSIL |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
HIP9011ABZ |
![]() |
Процессор сигнальный для ДВС | 3 984 | 281.60 | ||
IRLL024N SOT223 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|||||
IRLL024N SOT223 |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM35DM | NSC |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM35DM |
![]() |
97.32 | |||||
![]() |
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM35DM | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM35DM | TEXAS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM35DM | TEXAS INSTRUMENTS | 3 | 182.01 |
|
Корзина
|