IRF7501
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=2.4A@t=25C, 1.9A@t=70C, Rds=0.085 R@Vgs=4.5V, P=1.25W, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7501 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
