|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМТ18Б7Г1А1В | 13 | 2 668.00 | ||||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ18Б7Г1А1В | 1 |
|
|
|||||
| MCE4WT-A2-0000-000KE4 | CREE |
|
|
|||||
| MCE4WT-A2-0000-000KE4 |
|
1 980.00 | ||||||
| MCE4WT-A2-0000-000KE4 | Cree Inc |
|
|
|||||
|
|
|
PHDR-22VS |
|
JST Sales America Inc |
|
|
||
|
|
|
PHDR-22VS |
|
|
|
|||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | 85 | 576.00 | |||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ПРОТОН | 1 375 | 699.60 | ||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |
|
|
||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | ПРОТОН |
|
|
||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | 281 |
|
|
||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | 998 |
|
|
||
|
|
К293КП11АП |
|
(5П19 А1) , Двунаправленное мощное МОП-реле 60В/2А, корпус SIP12 | 1 |
|
|
||
| РМГ22Б10Ш1А1 | 16 | 1 147.00 | ||||||
| РМГ22Б10Ш1А1 | 1 |
|
|