IRF7488
Транзистор полевой SMD N-канальный 80В 6.3А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1210-B82422T 1.0UH 5% | EPCOS |
|
|
|||||
| 1210-B82422T 1.0UH 5% |
|
38.00 | ||||||
| 2РМТ14КПН4Ш1А1В | 2 | 1 840.00 | ||||||
| 2РМТ14КПН4Ш1А1В | ЭЛЕКОН | 66 | 6 457.22 | |||||
| 2РМТ14КПН4Ш1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
 |
2Т3130Б9 | 23 020 | 58.88 | |||||
|
|
2Т3130Б9 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
2Т3130Б9 | ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
| AC-102 |
|
Розетка на кабель, 250В, 15А, -55 +105С, | BM | 44 | 162.04 | |||
| AC-102 |
|
Розетка на кабель, 250В, 15А, -55 +105С, |
|
90.48 | ||||
| AC-102 |
|
Розетка на кабель, 250В, 15А, -55 +105С, | KLS |
|
|
|||
 |
IN74AC14D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
||||
|
|
IN74AC14D | 5 698 | 249.69 | |||||
|
|
IN74AC14D | ???????? |
|
|
||||
|
|
IN74AC14D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 307 |
|
