IRF7468

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7468		55.96

Версия для печати

Технические характеристики IRF7468

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 9.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2460pF @ 20V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7468 (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7468 datasheet
233.38Kb
8стр.