|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
12.47
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
12 450
|
4.61
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
19
|
15.12
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.26
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
JLW
|
19 740
|
54.38
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
|
31 541
|
23.73
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
JL WORLD
|
5 120
|
71.29
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
HXD
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
SHAINOR
|
|
|
|
|
|
HCM1203X |
|
Пьезоизлучатель - генератор звука 3В, 2300кГц, 85дБ,12*9,5 мм
|
RUICHI
|
26 184
|
21.28
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
|
|
200.00
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
M41T81M6E |
|
Микросхема RTC I2C 512B NVRAM 2-5.5V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
229
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MICRO CHIP
|
1 996
|
175.64
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
|
1 136
|
93.08
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MICRO CHIP
|
1 324
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
400
|
|
|