IRF5803TR
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQW18AN33NG00D | MURATA | 2 600 | 8.80 | |||||
| LQW18AN33NG00D | MUR | 39 348 | 2.17 | |||||
| LQW18AN33NG00D |
|
|
||||||
 |
SN74LVC1G08DCKR |
|
18.60 | |||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 280 | 11.37 | ||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 12 148 |
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | YOUTAI | 36 024 | 1.20 | ||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | UMW | 4 720 | 4.13 | ||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 776 |
|
