IRF3315
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 27A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 136W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF3315 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 564ИЕ9 | 32 | 101.75 | ||||||
| 564ИЕ9 | ВОСХОД |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | КАЛУГА | 4 | 525.00 | |||||
| 564ИЕ9 | ПАВЛОВ ПАСАД |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | АНГСТРЕМ |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | ПАВЛОВ ПОСАД |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | ЭКСИТОН |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | ПАВЛОВ-ПОСАД |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | RUS |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД |
|
|
|||||
| 564ИЕ9 | МИКРОН | 40 | 396.90 | |||||
 |
564ЛЕ5 | ИВАНОВО-ФРАНКОВСК |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | ВОСХОД | 52 | 480.00 | ||||
|
|
564ЛЕ5 | 347 | 106.72 | |||||
|
|
564ЛЕ5 | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | ЭКСИТОН |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | КАЛУГА | 185 | 105.00 | ||||
|
|
564ЛЕ5 | ПАВЛОВ ПАСАД |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | РОДОН |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | ПАВЛОВ ПОСАД |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | МИКРОН | 64 | 126.00 | ||||
|
|
564ЛЕ5 | АНГСТРЕМ |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | НОВОСИБИРСК |
|
|
||||
|
|
564ЛЕ5 | ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД |
|
|
||||
| РС10ТВРОЗ. |
|
|
||||||
| РС10ТВРОЗ. | POL-SUN |
|
|
|||||
| РС10ТВРОЗ. | КОПИР |
|
|
|||||
| РС7ТВВИЛ. | POL-SUN |
|
|
|||||
| РС7ТВВИЛ. | КОПИР |
|
|
|||||
| РС7ТВРОЗ. | POL-SUN |
|
|
|||||
| РС7ТВРОЗ. | КОПИР |
|
|
