IPP120N06N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IPP120N06N		112.56

Версия для печати

Технические характеристики IPP120N06N

Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	158W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2100pF @ 30V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 94µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	PG-TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 75A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	OptiMOS™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IPB120N06NG

OptiMOSand#174; Power-Transistor

Также в этом файле: IPP120N06NG

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

IPP120N06N datasheet
445.49Kb
10стр.