Корпус | TO-220AC |
Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
Тип монтажа | Выводной |
Reverse Recovery Time (trr) | 95ns |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1200V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 8A |
Серия | HEXFRED® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.68
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
90 384
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.75
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
17 880
|
2.35
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
47 904
|
1.39
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.51
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
93 439
|
1.52
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
158 280
|
1.38
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
63 000
|
1.20
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.02
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
|
2.92
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD
|
1 863
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
США
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
0.00
|
|
|
|
|
|
FDLL4148 |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
694
|
|
|
|
|
IR2213PBF |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей.U=1200V Io+ =1,7/2A t(on/of)= 280/225нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2213PBF |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей.U=1200V Io+ =1,7/2A t(on/of)= 280/225нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2213PBF |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей.U=1200V Io+ =1,7/2A t(on/of)= 280/225нс
|
|
|
|
|
|
|
IR2213PBF |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей.U=1200V Io+ =1,7/2A t(on/of)= 280/225нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
КД641ЕС |
|
|
|
|
124.80
|
|