GA200SA60S
Тиристор IGBT модуль
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
GA200SA60S |
 |
3 418.32
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики GA200SA60S
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Конфигурация | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 100A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 16.25nF @ 30V |
| Power - Max | 630W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
GA200SA60S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
International Rectifier
|
