![]() |
Память F-RAM объемом 2 МБит, 100 трил. циклов перезаписи, интерфейс SPI 40 МГц, напряжение питания 2,7 - 3,6 В, температурный диапазон -40+85, корпус 8 pinTDFN, PB free |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
EGL41B | GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 184 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
IRL3714ZS |
![]() |
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRL3714ZS |
![]() |
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
![]() |
218.80 | ||
![]() |
MAX4129ESD | MAXIM |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MAX4129ESD |
![]() |
540.00 | |||||
![]() |
MAX4129ESD | Maxim Integrated Products |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MAX4129ESD | MAXIM |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
MAX4129ESD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 191 |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
MMDF1N05E |
![]() |
Power mosfet 1 amp, 50 volts n?channel so?8, dual | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
VS-30BQ015TR | VISHAY |
![]() |
![]() |
|||||
VS-30BQ015TR |
![]() |
101.32 |
|
Корзина
|