Версия для печати
Технические характеристики BD678A

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD678A Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD678A datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ON SEMICONDUCTOR
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	ONS
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	CJ	376	6.79
		BD137G		NPN 60V 1,5A 8W B:40-250	470
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)		1	25.20
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	MOTOROLA	252
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	568
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	PHILIPS
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	МИНСК
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	STMICROELECTR
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BD138		Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C)	1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...			29.20
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS	398	11.40
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ON Semiconductor
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRO
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	FAIRCHILD
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	MULTICOMP
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	1
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FSC
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль		780	43.80
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	США
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FAIRCHILD	2 782
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль		780	43.80
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	FCS
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ON SEMI/FAIRCH
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONS	2 000	58.89
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ONS-FAIR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	ON SEMICONDUCTOR
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	LIT	420	12.82
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	LITE-ON
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	0.00
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	UMW	2 720	12.40
		MOC3063M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=5mA, схема перехода через ноль	YOUTAI	4 743	11.23
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.30
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	38.16
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"